Карта сайта
Poisk-podbor.Ru
ПАМЯТЬ (RAM)
Lenovo 0C19534
искать в выбранном
Выбрать регион доставки »
Начать подбор модули памяти заново из 21 649 предложений  »  Модуль памяти (RAM) Lenovo - подобрать по цене  »  Lenovo 0C19534
Увеличить

Lenovo 0C19534

добавить к сравнению

История цен

Написать отзыв

Основные характеристики

Тип ?DDR3
Форм-фактор ?DIMM
Объем модуля ?8.0 Гб
Поддержка ECC ?Да
Тактовая частота ?1600 МГц

Физические параметры

Количество контактов ?240
Напряжение питания ?1 В

Дополнительно

Буферизованная (Registered) ?Да
Пропускная способность ?12800 Мб/с
Количество ранков ?2
Сообщить об ошибке
в описании модели

История цен

Заданы параметры подбора:

Модель: Lenovo 0C19534

В Интернет-магазинах НЕ НАЙДЕНО ни одного предложения, соответствующего выбранной модели Lenovo 0C19534

Вы можете начать подбор модуля памяти (RAM) заново »


или просмотреть весь модельный ряд Lenovo »

А также похожие модели других брендов:

от 4 100 руб.

Samsung M378B1G73EB0

Модули памяти Samsung M378B1G73EB0 • DDR3 • DIMM • с объемом модуля 8.0 Гб • с поддержкой ECC • с количеством контактов 240 • с тактовой частотой 1600 МГц • с CL 11 • с пропускной способностью 12800 Мб/с • с напряжением питания 2 В • с количеством ранков 2 Рейтинг: 14


от 3 830 руб.

Kingston KVR16LN11/8

Модули памяти Kingston KVR16LN11/8 • DDR3 • DIMM • с объемом модуля 8.0 Гб • с количеством контактов 240 • с тактовой частотой 1600 МГц • с CL 11 • с пропускной способностью 12800 Мб/с • с напряжением питания 1 В Рейтинг: 22


от 4 175 руб.

Kingston HX316C10FB/8

Модули памяти Kingston HX316C10FB/8 • DDR3 • DIMM • с объемом модуля 8.0 Гб • с радиатором • с количеством контактов 240 • с тактовой частотой 1600 МГц • с CL 10 • с пропускной способностью 12800 Мб/с • с напряжением питания 2 В • с количеством ранков 2 Рейтинг: 24


© 2008 - 2018   ООО «Поиск-Подбор», г. Москва, ул. Кантемировская, д. 58 Размещение рекламы Личный кабинет